FMUSER Upprunalega Nýtt MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET Transistor 500MHz 600W Hliðstæðar N-Rás Broadband-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One Stop Birgir

FMUSER Upprunalegur nýr MRF6VP2600H RF aflgjafar smári MOSFET smári 500MHz 600W N-rás breiðband hliðrænt Yfirlit MRF6VP2600H er aðallega hannað fyrir breiðbandsforrit með tíðni allt að 500 MHz. Tækið er ósamþykkt og hentar til notkunar í útsendingarforritum. Aðgerðir * Dæmigert DVB-T OFDM árangur: VDD = 50 volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt meðaltal, f = 225 MHz, Bandbreidd rásar = 7.61 MHz, Inntaksmerki PAR = 9.3 dB @ 0.01% Líkur á CCDF. Aflshagnaður: 25 dB Afrennslisnýting: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Bandvídd * Dæmigert púlsafköst: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watt hámark, f = 225 MHz, Púlsbreidd = 100

Detail

fyrri:FMUSER Upprunalegur nýr MRFE6VP61K25H RF máttur smári hár máttur MOSFET smári LDMOS fyrir 1000w FM sendi

Next:FMUSER Original Nýtt BLF178XR RF Power Transistor Power MOSFET Transistor LDMOS 1400W HF-128MHz

Verð (USD)	Magn (PCS)	Shipping (USD)	Alls (USD)	Sendingar aðferð	greiðsla
245	1	35	280	DHL
				DHL

FMUSER Upprunalega Nýtt MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET smári 500MHz 600W hliðar N-rás breiðband

Yfirlit

MRF6VP2600H er fyrst og fremst hönnuð fyrir breiðbandsforrit með tíðni allt að 500 MHz. Tæki er ósamþykkt og er hentugur til notkunar í útvarpsþáttum.

Aðstaða

* Dæmigert DVB-T OFDM árangur: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt meðaltal, f = 225 MHz, Rás bandbreidd = 7.61 MHz, Input Signal PAR = 9.3 dB @ 0.01% Líkur á CCDF. : 25 dB Afrennslisnýting: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Bandvídd

* Dæmigert púlsafköst: VDD = 50 volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watt hámark, f = 225 MHz, púlsbreidd = 100 µsek, skylduhringur = 20% aflstyrkur: 25.3 dB Skilvirkni frárennslis: 59%

* Handhafi 10: 1 VSWR, @ 50 VDC, 225 MHz, 600 Watts hámarksstyrkur, Púlsbreidd = 100 μsec, Duty Cycle = 20%

* Einkennist með röð jafngildum Parameters Stór-Signal Impedance

* CW aðgerð getu með fullnægjandi kælingu

* Hæft allt að 50 VDD notkun

* Innbyggt ESD Verndun

* Hannað til að ýta á Push-Pull Operation

* Greater Negative Gate-Source Voltage Range fyrir bættan flokk C aðgerð

* RoHS samhæfður

* Í spóla og spóla. R6 Ending = 150 einingar á hvern 56 mm, 13 tommu spóla.

Specification

Tíðni (mín) (MHz): 2

Tíðni (hámark) (MHz): 500

Framboðsspennur (Tegund) (V): 50

P1dB (Tegund) (dBm): 57.8

P1dB (Tegund) (W): 600

Output Power (Tegund) (W) @ Intermodulation Level við Prófunarmerki: 125.0 @ AVG

Prófunarmerki: OFDM

Power Gain (Tegund) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Skilvirkni (Tegund) (%): 28.5

Thermal Resistance (Spec) (℃ / W): 0.2

Samsvörun: Ósamþykkt

Flokkur: AB

Die tækni: LDMOS

Verð (USD)	Magn (PCS)	Shipping (USD)	Alls (USD)	Sendingar aðferð	greiðsla
245	1	35	280	DHL
				DHL

fyrri:FMUSER Upprunalegur nýr MRFE6VP61K25H RF máttur smári hár máttur MOSFET smári LDMOS fyrir 1000w FM sendi

Next:FMUSER Original Nýtt BLF178XR RF Power Transistor Power MOSFET Transistor LDMOS 1400W HF-128MHz

Skildu eftir skilaboð

Skilaboðalisti

Comments Loading ...

Vörur Flokkur

Vörur Tags

FMUSER Sites

Detail

Skildu eftir skilaboð

Skilaboðalisti